SDH8594AS線損補償：在實際的應用設計中,輸岀電壓在電纜線上會有不同程度的壓降ⅤAB。在不同的電流情況下,輸岀端的整流二極管壓降VD也會發生改變,需要綜合考慮，SDH8594AS通過內部一個電流源來產生帶有失調的反饋電壓VFB。內部電流源的大小與輸出電流大小成比例關系。當負載電流從滿載到空載的時候，ⅤFB的失調電壓増加,增加量可以通過反饋電阻R1和R2調節。
SDH8594AS CC控制方式：通過電路對FB為正、為負或準諧振的時間進行計算,FB為正的時間為ToF1表示變壓器的次級線圈有電流,FB為負的時間為TN,FB衰減振蕩的時間為ToFF2,在這兩個時間內變壓器的次級線圈沒有電流。
隨著發展的科技信息化時代，生活工作都與電子產品息息相關。適配器IC也就被大量的應用起來了，適配器IC可分為原邊反饋（PSR）電源芯片和副邊反饋（SSR）電源芯片。PSR電源芯片價格比SSR的較低，因為原邊反饋電源芯片無光耦和TL431，所以在價格上就比較便宜一點。而適配器IC所使用的功率管耐壓也分為三極管（BJT）和MOSFET,三極管（BJT）的耐壓可達到700V左右;MOSFET耐壓可達到600V左右 。

SDH8594AS原邊反饋電源芯片采用PFM調制技術，實現精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制，效率和待機功耗滿足DOE Level 6能效標準。

SDH8594AS內置了高壓MOS管，使用了自有的技術來實現高壓啟動功能，降低待機功耗以及提高轉換效率，具有外部可調的線損補償和內置的峰值電流補償等功能，可以確保精準的恒壓/恒流（CV/CC）性能，在確保待機功耗滿足DOE Level 6能效標準的前提下，具有極佳的動態響應性能。

SDH8594AS各種保護措施：芯片內部集成多個保護功能,包括過溫保護、FB過壓保護、VcC過壓保護、輸岀短路保護、限流保護、大導通時間保護等功能,全部都是芯片自動恢復(除了限流保護),即檢測到異常狀態后,芯片關斷輸出,VCC電壓開始下降到欠壓點,關斷內部全部模塊,通過耗盡型MOS對∨CC端電容進行充電,重復一個芯片啟動的過程。

SDH8594AS CV控制方式：當MOS管關斷,反饋電壓為正,在FB為正的2/3~1/2時間點進行采樣,采樣得到的電壓經過與恒壓閾值Vc的比較、放大,產生恒壓環路的關斷時間ToF,從而實現輸出的恒壓。在輕載或者中載的時候,恒壓環路產生不同的峰值電流。

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